截至2026年6月17日，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、（Ga₂O₃）为核心的第三代宽禁带半导体迎来产业周期拐点：海外国际巨头被动收缩碳化硅产能、价格战红利消退；国内多地产业园落地、8英寸SiC产线密集投产、车规级器件批量装车，叠加新能源汽车、光伏储能、AI服务器电源刚需爆发，国产衬底、外延、器件全链条降本完成突破，

中试平台同步落地，全球第三代半导体产业话语权加速向国内转移。

一、全球产业格局：海外大厂持续减产，全球SiC供需格局反转

继2025年产能过剩、产品价格暴跌后，2026年Q2全球第三代半导体进入产能出清周期，海外功率巨头持续收缩碳化硅产能，行业库存周期见底。全球功率半导体龙头安森美6月官宣捷克SiC晶圆厂区二次裁员，本轮裁减200-300名制程核心员工，叠加去年累计裁员超470人，关停部分6英寸老旧碳化硅产线，聚焦高端车用SiC模块业务；意法半导体、

同步下调通用工业级SiC器件产能规划，放弃中低端市场价格内卷。

行业机构Yole最新数据显示，2026年Q2全球碳化硅晶圆均价环比上涨7.2%，结束连续12个月降价周期；全球车规级SiC MOSFET供需缺口扩大，现货交期拉长至18-22周。核心原因一方面是海外低端产能退出，另一方面是全球新能源车企、大型储能电站集中锁价备货，叠加AI高密度服务器电源对氮化镓器件需求激增，行业从产能过剩转向结构性紧缺。

区域格局上，欧美企业退守高端车用、航空航天高毛利市场，日韩收缩民用功率器件赛道，中国依托全球最大下游应用市场、全产业链产能布局，成为全球第三代半导体产能增量核心来源。

二、国内重磅动态：产能、政策、技术三重突破，全链条自主化落地

1. 区域产业集群加码：北京2000亿产业园落地，攻坚车规SiC与第四代半导体

6月17日北京顺义官宣千亿级第三代半导体产业园总体规划，园区总产值目标突破2000亿元，重点攻坚8英寸碳化硅MOSFET、射频级氮化镓器件，打通衬底、外延、晶圆制造、封装测试全产业链瓶颈；扶持瑞能半导体、

国联万众本土龙头扩产增效，加速车规级功率器件规模化量产装车。同时园区落地省级第四代半导体中试平台，主攻氧化镓、金刚石半导体材料，补齐下一代宽禁带半导体研发短板，打造华北第三代半导体核心创新高地。

2. 国产产线密集达产：8英寸碳化硅晶圆产能释放，成本大幅下探

国内头部厂商产能落地提速，长飞先进武汉200亿级第三代半导体基地产能爬坡收尾，满产后年产36万片6英寸碳化硅晶圆，单年可配套144万台新能源汽车功率器件；国内天岳先进、露笑科技8英寸碳化硅衬底产线良率突破83%，达到国际一线水准，衬底生产成本同比下降21%，彻底解决制约国产SiC器件量产的核心成本痛点。

器件端方面，斯达半导、扬杰科技6月官宣车规级SiC模块批量供货比亚迪、宁德时代储能项目，国产碳化硅车用器件市占率提升至29%，较2025年提升8个百分点；消费端氮化镓快充芯片国产化率突破75%，实现全面替代海外产品。

3. 前沿技术迭代：SiC跨界光学赛道，国产器件性能对标国际一线

国内宽禁带半导体技术跨界突破，本土企业慕德微纳碳化硅光波导样品实现量产，50°大视场角碳化硅AR光学器件落地，光效突破行业标准，让碳化硅材料跳出功率器件单一应用，切入AR/VR光电显示新赛道，打开增量市场空间。

工艺层面，国产1200V/1700V高压碳化硅IGBT、氮化镓HEMT器件完成AEC-Q101车规可靠性认证，耐高温、抗衰减性能对标罗姆、意法半导体同类产品，工业储能、轨道交通高压场景实现进口替代。

4. 资本+项目加码：上市公司募资扩产，产业投融资热度走高

6月国内第三代半导体企业资本动作密集，拉普拉斯官宣22.01亿元定增方案，大额资金投向碳化硅、氮化镓高端生产装备研发；芯联集成功率半导体封装产线扩建项目获批，专攻第三代半导体模块封装工艺。二级市场资金扎堆布局碳化硅衬底、车规功率器件、氧化镓三大细分板块，单月板块机构调研次数突破120次，行业投融资热度稳居半导体

细分赛道首位。

三、下游需求爆发：三大核心赛道拉动行业增量，需求确定性拉满

1. 新能源汽车：主驱SiC渗透率持续拉升

2026年上半年全球高端新能源电动车、800V高压平台车型出货量暴涨，高压快充车型标配碳化硅主驱模块，国内车企自研SiC模块产能自给率提升，叠加混动车型渗透率走高，车用碳化硅器件季度需求环比增长32%，成为行业第一增长引擎。

2. 光伏储能：高压逆变器刚需拉动高压SiC器件放量

国内集中式光伏、大型共享储能电站加速落地，1500V高压储能逆变器全面普及，传统硅基IGBT无法适配高压工况，1700V国产碳化硅器件订单爆满，6月多家厂商储能级SiC器件订单排期至四季度，下游储能厂商主动锁价备货。

3. AI算力基建：氮化镓电源芯片需求井喷

AI服务器、液冷算力机柜功耗持续攀升，传统硅基电源能效触及天花板，高频、高效率氮化镓电源管理芯片成为算力基建标配，2026年Q2数据中心GaN器件需求量同比暴涨67%，打开射频、功率双赛道增量空间。

四、行业核心痛点与供应链变局

供应链层面，海外碳化硅衬底、外延设备出口限制小幅放宽，但高端车规检测设备仍存在卡脖子问题；国内本土碳化硅生长炉、外延设备国产化率突破55%，设备自主化持续提速。产品结构上，低端工业级SiC器件仍存库存压力，高端车用、储能、航空航天级器件供不应求，行业结构性分化加剧。

成本端利好凸显，国产8英寸大尺寸碳化硅衬底规模化量产，摊薄单片晶圆制造成本，

叠加本土特种气体、碳化硅粉体材料自主供应，国产第三代器件整体成本较海外进口产品低15%-18%，价格优势持续放大。

五、行业后市前瞻

结合Yole、赛迪顾问最新研判，2026年下半年全球第三代半导体市场规模将突破128亿美元，同比增幅超35%；国内市场增速领跑全球，全年产业规模冲刺900亿元。短期来看，三季度车用、储能SiC器件缺货行情延续，国内头部厂商产品或将小幅涨价；中长期8英寸产线、第四代氧化镓半导体为核心成长主线，衬底+外延材料国产化替代空间最大。

风险提示：下游新能源行业装机量不及预期、行业新增产能集中投放引发价格回落、海外高端设备出口政策收紧。