苏州美明电子
MeimingIC.com
电子束光刻(EBL):最小线宽50nm,精度可达10%。
步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um。
接触,接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um。
紫外光刻、无掩膜光刻、双面光刻、对准套刻尺寸:8'6'4'2'以及不规则小片