不一样的干货分享 | 碳化硅晶圆划片技术

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来源: | 作者:chipnews | 发布时间: 2021-10-11 | 696 次浏览 | 分享到:

碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，由于其加工难度大，一直未能得到大规模推广应用。

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碳化硅材料的加工难度体现在：

(1)硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6；

(2)化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应；

(3) 加工设备尚不成熟。

因此，围绕碳化硅晶圆划片工艺和设备展开研究，对推动我国碳化硅新型电子元器件的发展，促进第三代半导体产业发展有着积极的意义。

碳化硅材料特性

碳化硅是ⅠⅤ-ⅠⅤ族二元化合物半导体，具有很强的离子共价键，结合能量稳定，具有优越的力学、化学性能。材料带隙即禁带能量决定了器件很多性能，包括光谱响应、抗辐射、工作温度、击穿电压等，碳化硅禁带宽度大。

如最常用的 4H-SiC禁带能量是 3.23 eV，因此，具有良好的紫外光谱响应特性，被用于制作紫外光电二极管。SiC 临界击穿电场比常用半导体硅和砷化镓大很多，其制作的器件具有很好的耐高压特性。

另外，击穿电场和热导率决定器件的最大功率传输能力，SiC 热导率高达 5 W/(cm·K)，比许多金属还要高，因此非常适合做高温、大功率器件和电路。碳化硅热稳定性很好，可以工作在 300～600 ℃。碳化硅硬度高，耐磨性好，常用来研磨或切割其它材料，这就意味着碳化硅衬底的划切非常棘手。

目前，用于制作电子器件的碳化硅晶圆主要有 2 种，N 型导电晶圆厚度 150～350 μm，电阻率0.010～0.028 Ω·cm 2 ，主要应用于发光二极管、电力电子行业的功率器件。

高纯半绝缘晶圆厚度50～100 μm，电阻率 1×10 8 Ω·cm 2 ，主要用于微波射频、氮化镓晶体管等领域。针对半导体行业应用的 SiC 晶圆划切，研究几种加工方法的特点及应用。

碳化硅晶圆划片方法

2.1 砂轮划片

砂轮划片机是通过空气静压电主轴驱动刀片高速旋转，实现对材料的强力磨削。所用的刀片刃口镀有金刚砂颗粒，金刚砂的莫氏硬度为 10 级，仅仅比硬度 9.5 级的 SiC 略高一点，反复地低速磨削不仅费时，而且费力，同时也会造成刀具频繁磨损。如：100 mm（4 英寸）SiC 晶圆划切每片需要6～8 h，且易造成崩边缺陷。因此，这种传统的低效加工方式已经逐渐被激光划片取代。

2.2 激光全划

激光划片是利用高能激光束照射工件表面，使被照射区域局部熔化、气化，从而达到去除材料，实现划片的过程。激光划片是非接触式加工，无机械应力损伤，加工方式灵活，不存在刀具损耗和水污染，设备使用维护成本低。为避免激光划透晶圆时损伤支撑膜，采用耐高温烧蚀的 UV 膜。

目前，激光划片设备采用工业激光器，波长主要有 1 064 nm、532 nm、355 nm 三种，脉宽为纳秒、皮秒和飞秒级。理论上，激光波长越短、脉宽越短，加工热效应越小，有利于微细精密加工，但成本相对较高。355 nm 的紫外纳秒激光器因其技术成熟、成本低、加工热效应小，应用非常广泛。近几年 1 064 nm 的皮秒激光器技术发展迅速，应用到很多新领域，获得了很好的效果。图 1、图 2 分别对 2 种激光器划切 SiC 晶圆的效果进行了对比。

从图 1、图 2 中可以看出，355 nm 紫外激光加工热效应小，但未完全气化的熔渣在切割道内粘连堆积，使得切割断面不光滑，附着的熔渣在后续工艺环节容易脱落，影响器件性能。1 064 nm 的皮秒激光器采用较大的功率，划切效率高，材料去除充分，断面均匀一致，但加工热效应太大，芯片设计中需要预留更宽的划切道。

2.3 激光半划

激光半划适用于解理性较好的材料加工，激光划切至一定深度，然后采用裂片方式，沿切割道产生纵向延伸的应力使芯片分离。这种加工方式效率高，无需贴膜去膜工序，加工成本低。但碳化硅晶圆的解理性差，不易裂片，裂开的一面容易崩边，划过的部分仍然存在熔渣粘连现象，如图 3 所示。

2.4 激光隐形划切

激光隐形划切是将激光聚焦在材料内部，形成改质层，然后通过裂片或扩膜的方式分离芯片。表面无粉尘污染，几乎无材料损耗，加工效率高。实现隐形划切的 2 个条件是材料对激光透明，足够的脉冲能量产生多光子吸收。

碳化硅在室温下的带隙能量 Eg 约为 3.2 eV，即为 5.13×10 -19 J。1 064 nm 激光光子能量 E=hc/λ=1.87×10 -19 J。可见 1 064 nm 的激光光子能量小于碳化硅材料的吸收带隙，在光学上呈透明特性，满足隐形划切的条件。实际的透过率与材料表面特性、厚度、掺杂物的种类等因素有关，以厚度 300 μm 的碳化硅抛光晶圆为例，实测 1 064 nm 激光透过率约为67%。

选用脉冲宽度极短的皮秒激光，多光子吸收产生的能量不转换成热能，只在材料内部引起一定深度的改质层，改质层是材料内部裂纹区、熔融区或折射率变化区。然后通过后续的裂片工艺，晶粒将沿着改质层分离。

碳化硅材料解理性差，改质层的间隔不能太大。试验采用 JHQ-611 全自动划片机和 350 μm厚的 SiC 晶圆，划切 22 层，划切速度 500 mm/s，裂开后的断面比较光滑，崩边小，边缘整齐，如图4 所示。