在与五角大楼签署快速保证微电子原型 RAMP-C 项目第一阶段两年半后，英特尔加深了与国防部的合作关系。英特尔、五角大楼和由 CHIPS 法案资助的国家安全加速器计划现已同意合作，生产只能在欧洲或亚洲制造的先进芯片制造工艺的早期测试样品。作为新闻稿的一部分，该芯片制造商今天早些时候表示，通过 RAMP-C，美国政府将能够首次获得领先的芯片制造技术。

RAMP-C 计划的第三阶段将涵盖采用英特尔未来 18A 制造工艺制造的原型。这些高端芯片制造工艺通常由消费处理器使用，因为它们使用大量的功率来运行计算和图形密集型应用程序。

为国家安全应用制造 18A 芯片是英特尔与其 DIB（国防工业基地）客户合作的一部分。该名单包括承包商诺斯罗普·格鲁曼 (Northrop Grumman) 和波音 (Boeing)，以及消费者公司微软 (Microsoft)、英伟达 (NVIDIA) 和 IBM，这家总部位于加州的芯片制造公司正在与这些客户合作开发 18A 芯片制造技术。

该技术是英特尔的下一代工艺节点，根据公司高管此前的说法，其前身即20A工艺预计将于2024年投入生产。英特尔去年年底还分享了 18A 的关键细节，当时首席执行官帕特里克·基辛格 (Patrick Gelsinger) 透露，18A 工艺已提前完成。

同时附有 2022 年 12 月的路线图，两个月后又发布了英特尔路线图，详细介绍了 18A。可能会在 2024 年下半年准备好进行风险生产（或者按照英特尔的说法做好制造准备）。RAMP-C 合同的第三阶段强调了英特尔 18A 工艺技术、知识产权 (IP) 和生态系统解决方案的准备情况。

Gelsinger 还宣传了英特尔 18A 芯片卓越的电源管理能力，将其与台积电 (TSMC) 的 2 纳米技术相媲美。在推出 Intel 3 工艺之后，英特尔的芯片工艺技术命名法已转向埃级。

这意味着，纯粹根据其营销名称进行比较，18A芯片工艺相当于1.8nm。在芯片制造中，越小越好，因为较小的电路能够提高导电性和性能吞吐量。现代芯片在很小的空间内挤满了数十亿个晶体管，这使得它们比前代芯片能够处理更多的数据。

作为今天发布的内容的一部分，国防部微电子工程负责人 Dev Shenoy 博士评论道，五角大楼预计“在 2025 年演示英特尔 18A 芯片的原型生产。”英特尔代工 RAMP-C 第三阶段将重点关注流片出芯片设计。这是设计过程的最后阶段，工程师完成该过程的概念部分，并将他们的工作转移到在生产过程中指导先进芯片制造机器的掩模上。

本月早些时候，英特尔首次启动了世界上最先进的芯片制造机，这是其第一台。这些被称为High NA EUV的机器将通过简化该公司在其公告中分享的设计流程来减少芯片制造时间。