随着人工智能（AI）市场的增长，大型科技公司的服务器建设再次活跃，对大容量NAND闪存的需求也不断增加。随着存储行业重新燃起高容量、高性能 NAND 的堆叠竞争，预计 400 层 NAND 时代将于明年开启，1000 层 NAND 时代将于 2027 年开启。三星电子、SK海力士、美光在NAND堆叠技术上展开竞争，最近Kioxia也加入了这个行列。

NAND是一种通过多层垂直堆叠单元来增加存储容量的技术，类似于在一个空间内建造高层公寓以容纳更多人。2013年，三星电子首次开发出23层“V-NAND”，将NAND垂直堆叠，然后通过在平坦层的三维空间中钻孔来连接各层，引发了公司之间的堆叠竞争。此后，三星电子通过推出全球首款 100 层或以上的第 6 代 V-NAND 一直引领市场。

三星电子的目标是成为世界上第一个实现 1000 层堆叠的公司。三星电子在 2022 年三星技术日上首次公布了其路线图，称“我们的目标是到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND”。随后，在去年 10 月的“三星内存技术日 2023”上，计划没有变化，表示“我们将通过沟道孔蚀刻这一核心技术，为 1000 层 V-NAND 时代做好准备”。通过减少单元的平面面积和高度并增加级数来减小体积。”强调。

不过，上个月，铠侠宣布与西部数据合作，目标是在 2027 年推出 1,000 层 NAND，比三星电子早三年，谁将夺得全球首款 1,000 层 NAND 的称号，备受关注。

此外，铠侠1日宣布，将竣工位于岩手县的生产尖端NAND的北上工厂“K2”，并于明年秋季开始运营。随着 NAND 市场恢复复苏，Kioxia 似乎再次加快了尖端 NAND 的生产速度。去年，铠侠成功量产218层3D NAND。

目前市场上的NAND最大堆叠数为290层。三星电子于4月份开始量产290层1太比特（Tb）TLC（三级单元）第9代V-NAND，并将于第四年量产尖端技术QLC（四级单元）第9代V-NAND今年季度。据市场研究公司Tech Insights称，三星电子计划在明年下半年量产430层第10代V-NAND，从而进入400层范围。

一个单元中存储 1 位称为 SLC（单级单元），存储 2 位称为 MLC（多级单元），存储 3 位称为 TLC，存储 4 位称为 QLC。由于QLC在一个单元中存储更多信息，因此它在同一区域内支持更大的容量。

SK海力士也在开发NAND超级间隙技术。SK海力士去年上半年量产238层TLC NAND。随后，在同年8月的“闪存峰会（FMS）2023”上，全球最高的321层TLC 4D NAND闪存样品亮相，并在业界首次宣布量产。明年上半年将生产超过300层的NAND闪存。SK海力士也开始开发400层NAND技术，目标是明年下半年量产。

美国美光紧追国内存储厂商，于上月30日宣布推出首款采用276层TLC第9代（G9）3D NAND制成的2650客户端SSD。美光还计划明年推出 400 层 NAND。此前，美光因于2022年7月量产232层TLC NAND而引起关注，超越龙头企业三星电子，首次推出200层NAND。

但业内人士认为，仅仅拥有大量层数并不能被视为技术优势。

NAND堆叠技术分为单堆叠（Single Stack），将最下面的单元（Cell）和最上面的单元（Cell）合并为一束（一孔），双堆叠（Double Stack），将两束合并为一束，以及三重堆叠（Triple Stack），将三个静音单元合并为一束。堆叠数量越少，成本竞争力就越好。

美光和SK海力士从72层开始使用“双堆栈”进行堆叠，但三星电子使用“单堆栈”并从176层第7代V-NAND开始切换到“双堆栈”。

三星电子今年保持了“双堆栈”方法，同时将层数从 290 层 V9 NAND 增加到接近 300 层，从而确保了其竞争优势。这与SK海力士、美光等明年将量产低300层范围的三叠层产品形成鲜明对比。业界预测，三星电子也将不可避免地推出从400层NAND开始的三重堆栈。

与此同时，市场研究公司Trend Force上个月在一份报告中预测，得益于服务器需求的复苏，今年全球NAND销售额将增长77%，达到647亿美元，比上年增长77%，明年将达到870亿美元，较今年增长29%。

截至今年第一季度，NAND市场份额第一名是三星电子（36.7%），第二名是SK Hynix/Solidig（22.2%），第三名是铠侠（12.4%），第四名是美光（11.7%），第五名。其次是西部数据（11.6%）。