是半导体产业链的基石，我们判断，随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加长鑫、长存等国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇。

AI技术迭代引爆存储需求，供需缺口推升价格中枢。大模型向思维链（CoT）机制及多模态演进，推动数据吞吐量指数级跃升，直接拉动高性能存储需求。供给端，海外原厂（三星、SK海力士等）执行严格控产策略，

及先进DRAM产能被锁定，导致常规存储市场面临显著供需缺口。根据TrendForce的预计，在AI对存储需求的激增与原厂控产的双重作用下，NAND及DRAM价格持续上行，2025Q4预计分别上涨5-10%及13-18%，行业景气度显著提升。国产存储龙头扩产加速，IPO与三期项目落地催化设备招标。国内存储产业面临比全球更严峻的产能缺口,自主可控诉求迫切。长鑫存储正式启动IPO辅导，估值及资金实力大幅增强，且LPDDR5等先进制程技术代差缩短至1年左右，产能爬坡确定性高;长江存储三期项目已注册成立，Xtacking 4.0技术获国际认可。国产存储扩产的大规模落地，将直接带动国产设备在核心制程环节的份额提升。

技术架构突破物理极限，

迎来“量价齐升”。存储芯片架构正经历从2D向3D的深层次变革。随着3D DRAM技术的引入以及NAND堆叠层数向5xx层及以上演进，制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升。

根据泛林半导体测算，在此轮技术迭代中，刻蚀与薄膜沉积等关键设备的市场有望分别实现1.7倍及1.8倍的显著增长，相关设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。