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半导体大厂,加速扩产
来源: | 作者:chipnews | 发布时间: 2025-12-04 | 68 次浏览 | 分享到:

SK海力士:AI超级周期的最大赢家

在全球AI内存需求爆发的推动下,存储芯片巨头SK海力士启动大规模产能扩张,以“双线并进”为核心战略:在巩固高附加值

市场绝对领先优势的同时,积极扩充包括1c DRAM在内的通用型DRAM产能,形成“高端突破+通用补位”的战略布局。


作为第六代10纳米DRAM(1c DRAM)的核心玩家,SK海力士计划大幅提升该尖端通用DRAM产能。据韩国经济日报报道,其1c DRAM月产能将从当前约2万片300mm晶圆,于2026年提升至16-19万片,增幅达8-9倍,届时该产能将占其DRAM总产能的三分之一以上。


韩国利川工厂是此次扩产的核心引擎,通过现有产线工艺升级,该工厂1c DRAM月产量将先实现从2万片到14万片的增幅,部分业内人士透露实际产能或向17万片冲刺。扩产的1c DRAM将重点用于生产GDDR7图形内存模组和低功耗SOCAMM2内存模块,直接对接英伟达、AMD等科技巨头及云服务提供商的订单需求。


在HBM领域,SK海力士已占据全球超过60%的市场份额,几乎垄断英伟达的HBM订单。为延续优势,SK海力士针对英伟达HBM4的产能扩张正稳步推进,其位于韩国忠清北道清州园区的M15X工厂将于2025年四季度投产,配备1b DRAM生产线,月均进料量为6万片晶圆,主要用于生产HBM4核心芯片。目前,SK海力士HBM4已实现涨价超50%,单颗价格突破500美元,且2026年产能已全部售罄,预计将搭载于英伟达2025年下半年发布的Rubin芯片。

另一方面,受HBM产能挤压,全球标准型DRAM供应持续短缺,波及PC、笔记本电脑、智能手机及通用服务器市场。对此,SK海力士计划2026年标准型DRAM供应量较2025年增加超过一成:一是提升M16晶圆厂产能利用率;二是对M15晶圆厂进行产线转换,将部分代工业务或CMOS图像传感器生产线,重新配置为DRAM生产线。


SK海力士明确表示,尽管HBM增长迅猛,但标准型DRAM市场规模远大于HBM,在巩固AI内存领先地位的同时,满足标准型DRAM需求是公司战略重心之一,需要通过优化现有资产来保障供应,防止因过度倾向HBM而导致传统市场出现供应缺口。这也是其争夺DRAM全球市占率第一的关键支撑。


大规模扩产背后是密集的资本投入,SK海力士通过优化现有基地、布局新集群,为产能释放提供保障,2025年设施投资额预计约25万亿韩元,2026年将轻松超过30万亿韩元。


除利川工厂1c DRAM产线升级外,清州M15X工厂作为HBM产能核心载体已启动1b DRAM试验生产线,计划四季度举行落成典礼,初始月产量目标1万片晶圆,逐步提升至6万片。同时,SK海力士将利川、清州工厂的有限生产设备向新集群迁移,最大化现有基地产能效率。


此外,作为规划至2050年的长期项目,

是SK海力士未来产能扩张的核心支点。该集群近期获得龙仁特别市规划调整,SK海力士用地(A15)容积率从350%上调至490%,建筑物最高高度从120米放宽至150米,使得洁净室面积较原计划扩大50%。


根据规划,SK海力士将在该集群建设4座晶圆厂,单座规模与清州M15X工厂的6座晶圆厂相当。据此估算,4座晶圆厂全部完工后总投资至少达480万亿韩元,而SK会长崔泰元透露,该集群总体投资预计将达约600万亿韩元,差异主要源于长期规划中的物价上涨及开发成本增加因素。目前,龙仁首座工厂于2025年动工,预计于2027年投产。


总结来说,SK海力士的扩产计划展现了一家行业龙头在技术十字路口的精准判断,以利润丰厚的HBM为矛,积极抢占AI时代的技术制高点;同时以规模庞大的通用DRAM为盾,确保基本盘的稳定与增长。


据了解,SK海力士已在2025年一季度以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一,终结三星四十多年的垄断地位。此次扩产将进一步巩固其优势,同时在HBM领域通过技术壁垒筑牢盈利护城河。


面对SK海力士的强劲攻势,三星电子正以更大规模的扩产计划发起反击,同步推进存储芯片与先进制程代工两大领域的激进扩产:一方面以1c DRAM为核心冲刺高阶存储产能,重启关键工厂并布局长期生产基地,力图稳固DRAM市场主导权;另一方面加速2nm代工产能落地,斩获多家客户订单,打破台积电在先进制程领域的垄断格局。


在存储芯片领域,三星主攻高阶,1c DRAM成其产能竞赛核心。据悉,面对AI服务器对高带宽、低功耗内存的爆发性需求,三星将第六代10纳米级DRAM作为扩产核心,同步配套HBM产能升级与工厂布局优化,形成短期产能释放+中长期基地建设的双线策略。


为夺回并巩固DRAM市场领导地位,三星敲定明确的1c DRAM扩产时间表,规模创公司历史纪录。据TrendForce报道,三星采用“三步走”分阶段推进策略:


  • 2025年第四季度先实现月产6万片;

  • 2026年第二季度再新增8万片;

  • 2026年第四季度追加6万片,最终于2026年底达成月产20万片的目标。


这一产能规模极具冲击力,当前三星整体DRAM月产能约65-70万片,20万片的1c DRAM产能将占其总产能的三分之一左右,不仅远超2022年半导体繁荣期13万片的DRAM扩产力度,更与竞争对手SK海力士形成直接对垒。据悉,目前其1c DRAM良率已从早期的不足30%大幅提升至50%-70%,并正向80%-90%的目标迈进。


三星计划通过两大路径保障产能落地:一是对现有DRAM生产线进行工艺转换,快速释放部分产能;二是追加对平泽第4工厂(P4)的投资,其4条生产线中3条已投入运营或即将投产,未来将专门负责1c DRAM与HBM4的量产工作。

在HBM领域,三星已凭借HBM3E出货量激增实现市场反弹。据CFM数据统计,2025年第三季度三星HBM位单元出货量环比激增85%,核心得益于向NVIDIA交付第五代HBM3E,这也成为其当季DRAM销售额环比增长29.6%、重回全球市场第一(份额34.8%)的关键推手。近期,三星还重组了内存业务部门,将HBM团队重新整合进DRAM设计部门,以加速HBM4及更下一代产品的开发,这显示了其技术路线的信心。


同时,为夯实中长期竞争力,三星近期重启了搁置两年的京畿道平泽工厂第二园区5号线(P5)项目,该项目耗资超60万亿韩元,计划2028年投产,将成为同时生产下一代HBM与1c DRAM的混合型工厂,未来还可能根据市场情况搭建晶圆代工生产线。


从更长远规划来看,三星正推动平泽第一园区(P1-P4)与第二园区(P5-P6)整合,打造总面积达87万坪的全球最大半导体生产据点。此外,三星还计划投资360万亿韩元,在龙仁半导体国家产业园区集群建设6座晶圆厂,2031年前全部完工,首期1号晶圆厂将于2026年底前开工、2030年投产,全部完工后三星将拥有12座运营中的晶圆厂。


另一边,在先进制程晶圆代工领域,三星借台积电产能满载的窗口期加速突围,2nm工艺成为其攻坚核心,目前已实现客户突破与产能初步布局。


据韩国媒体报道,由于台积电2nm产能紧张,多家中国挖矿芯片企业已将订单转向三星,两家企业每月晶圆交付量约为2000片12吋晶圆,占三星2nm总产能的10%。以每片晶圆约2万美元计算,这一订单预计为三星带来年销售额4.8亿美元,约占其2024年晶圆代工营收的4%。除挖矿芯片企业外,三星2nm客户已覆盖多元领域,包括自身系统LSI部门及汽车巨头特斯拉,而台积电的2nm客户则聚焦苹果、高通、AMD等传统头部厂商,两者客户结构形成差异化竞争。产能方面,三星计划到2026年底将2nm月产能提升至约2.1万片,较2024年底的目标增长约163%。


三星将2nm代工产能布局纳入母公司未来五年韩国450万亿韩元投资计划,依托平泽工厂产能拓展实现落地,与存储芯片扩产形成协同效应,凸显其“存储+代工”双轮驱动的战略意图。

此次扩产的背后,是三星对强烈市场需求和内部战略的取舍。


  • AI需求驱动:生成式AI爆发导致高性能DRAM和HBM供不应求,为三星扩产提供了明确的市场信号;

  • 利润导向的内部决策:一个值得关注的动态是,三星内存部门为确保利润最大化,已拒绝为自家手机部门提供长期固定价格的DRAM供应。这凸显了在AI需求旺盛的背景下,三星优先将先进产能和高利润产品导向外部的战略选择。


总而言之,三星的扩产计划是一场多战线、高技术难度的全面竞赛。在内存领域,以1c DRAM为杠杆,试图在HBM4技术上实现后发先至;代工领域则通过绑定大客户、加速美国本土产能落地来追赶台积电。


不过,其成败关键在于1c DRAM和HBM4的良率能否稳定提升至商业成功水平,以及2nm制程能否如期获得更多顶级客户订单。

半导体产业链扩产热潮不断


与半导体制造大厂的产能竞赛同步,上游的材料与设备厂商也正在加速投资,为核心制造环节的扩张提供关键的“弹药”支撑。


其中,日本材料厂商正凭借其在光刻胶领域的技术优势,进行密集的全球化产能布局,以锁定未来2纳米及更先进制程的市场。


东京应化计划投资200亿日元在韩国建设光刻胶工厂,预计2030年投产,投产后其在韩国的光刻胶产能将提升3-4倍,产品主要供应半导体封装及存储领域;同时另投120亿日元在韩国新建高纯化学品工厂,完善半导体材料配套供应。


JSR则发力韩国市场,计划建设MOR生产基地,2026年底前投产,进一步强化其在先进光刻胶领域的全球领先地位。


富士胶片规划未来三年投资1000亿日元扩大半导体材料产能,布局覆盖日本、美国、欧洲及韩国市场,以应对全球AI产业带来的材料需求激增。


德国默克电子近日宣布,其位于台湾高雄、投资5亿欧元的全球最大半导体材料及电子业务生产基地已启动资质认证,计划2026年量产,主要生产先进芯片制造所需的薄膜、配方材料和特种气体等,其中关键的薄膜材料可助力实现先进芯片架构;该工厂投产后将满足当地约80%的薄膜材料需求及超50%的总体材料需求,提升本地自给率并更好服务亚太地区,这是公司践行多年“本地化战略”、增强供应链韧性的重要举措,进一步服务台积电等全球主要芯片制造商,适配3纳米及更先进芯片的生产需求。


三星电机也正加码AI相关半导体封装基板扩产,其FC-BGA基板产能利用

率持续提升,第三季度已达72%并接近峰值,且该基板库存预计2027年前基本售罄;计划进一步扩大FC-BGA供应范围,从亚马逊、AMD等现有客户拓展至谷歌、博通等新客户,目标明年实现该业务两位数销售增长,同时优化业务结构,从专注IT产品转向人工智能和汽车应用领域,凭借高附加值产品抢占AI及高性能计算服务器相关基板市场,巩固其韩国唯一大规模生产服务器用FC-BGA芯片公司的地位。


在另一条技术赛道上,为解决AI芯片日益严峻的热管理瓶颈,欧洲金刚石晶圆项目获得重大推进。美国公司Diamond Foundry位于西班牙特鲁希略的工厂,累计获得约27.7亿美元投资,其中西班牙政府最新追加了7.53亿欧元,目标是建成全球最大的半导体级单晶金刚石晶圆生产基地,最终年产能目标达1000万克拉。


金刚石是目前已知导热率最高的材料,能将芯片热量快速导出,是突破下一代高功耗芯片散热瓶颈的关键。该项目从技术研发(已能生产4英寸金刚石晶圆)到规模制造,标志着超高热导率材料正从实验室走向产业化。


与此同时,SEMI近期发布的《全球半导体设备市场统计报告》,进一步从设备端印证了行业目前如火如荼的扩产趋势。报告表示,2025年第三季度全球半导体设备出货量同比增长11%,达到336.6亿美元。2025年第三季度出货量环比增长2%,营收增长主要得益于对先进技术的强劲投资,尤其是在人工智能计算领域领先的逻辑芯片、DRAM 和封装解决方案。此外,对中国地区的设备出货量也显著增长,进一步推动了整体的增长势头。


“今年迄今为止,全球半导体设备出货量已接近1000亿美元,创下前三个季度的历史新高,这反映了该行业持续强劲的发展势头以及对技术创新投资的坚定承诺,”SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示。“人工智能的强劲需求持续推动着先进逻辑和存储器领域的支出,以及面向节能封装应用领域的支出。这一积极的发展趋势凸显了半导体在构建一个更智能、更互联的世界中发挥的关键作用,而这个世界正是下一代数字解决方案的基石。”


总而言之,当前的半导体扩产浪潮是全产业链的共振。在制造端大幅增加产能的同时,上游材料和设备端的巨头们正通过前瞻性技术投资和贴近客户的全球化布局,为这场竞赛夯实基础,确保“弹药”供应,共同争夺AI时代的技术与市场主导权。


当前全球半导体行业的扩产浪潮,并非一次简单的增产,而是一场由AI革命驱动、供应链安全需求倒逼、厂商战略理性权衡交织下的全方位产业重构。


本轮扩产潮是多重因素共振的结果:


  • AI需求的超级周期:AI从训练扩展到推理,不仅引爆了HBM需求,也带动了用于AI推理的先进通用DRAM,导致全品类内存价格飙升。OpenAI、英伟达等巨头直接锁定巨额产能,扭曲了传统市场供应。

  • 地缘政治下的供应链重构:全球各国将半导体视为战略资产。美国的《芯片法案》、日本的复兴计划、欧盟的《芯片法案》等都通过巨额补贴,引导产能本土化,这已深刻改变了厂商的选址逻辑。

  • 厂商自身的战略考量:本轮扩产并非盲目。主要厂商在经历了过去几年的行业周期性波动后,表现出更强的战略定力。经历过严重过剩周期的内存巨头们,此次扩产极具纪律性,优先通过提升现有产线利用率、转换产品线来增加供应,而非盲目建新厂,以防止未来市场反转。此外,台积电在先进制程上的扩张也表现出战略聚焦而非全面铺开。


在核心领域,AI内存与先进制程赛道的赢家通吃效应持续凸显,头部企业展开激烈角逐,既有三星全力追赶SK海力士争夺HBM市场优势,也有台积电凭借产能规模与技术壁垒构建竞争护城河。


与此同时,全产业链成本压力逐步传导,巨额建厂投资、设备紧缺及原材料价格暴涨共同推高芯片成本,最终通过AI服务器等中间环节间接影响消费电子市场。产业竞争模式已实现迭代升级,从单一制程节点的比拼,延伸至“先进制造+先进封装+高端内存”的系统性能力较量,而成熟制程领域则围绕地域安全与特色工艺,呈现差异化竞争加剧的态势。


全球主要半导体企业均在主动重构产能布局,这场由AI驱动的产能竞赛,不仅引发短期价格波动,更将推动行业长期技术迭代与产业格局深度变革。

站在AI技术爆发的时代关口,半导体行业的扩产竞赛早已超越单纯的产能比拼,成为关乎未来十年全球算力基础设施主导权的战略博弈。


从韩国存储双雄的HBM话语权争夺,到晶圆代工与封测龙头的技术壁垒构建,再到欧美国际厂商的区域化产能布局,全球半导体产业的竞争边界不断拓展,新的生态格局加速成型。成本传导带来的短期挑战固然存在,但更值得关注的是,这场竞赛正倒逼行业实现技术创新与供应链韧性的双重提升。


未来,随着产能布局的逐步落地与技术路线的持续迭代,全球半导体产业将迈入更具弹性却也更趋复杂的发展阶段。这场竞赛的最终结果,不仅将决定全球算力版图的核心架构,更将深刻影响下游诸多产业的发展走向,其深远意义仍待时间印证,而这场由AI驱动的产业变革,才刚刚拉开序幕。