• 应用

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• 光刻胶的去除

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• 用于湿法或干法刻蚀工艺前后

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• SU-8和其它环氧基光胶的去除

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• 微电子机械系统加工中牺牲层去除

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• 去除化学残余物

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• 清除浮渣工艺

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• 半导体硅片生产中光刻胶或SU-8胶工艺

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• 平板显示生产中等离子体预处理

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• 太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒

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• 先进晶片（芯片）装配中的衬底清洁和预处理

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• 优势

• 预处理可避免光刻胶在高剂量离子注入后破裂

  
  

  硬胶的轻柔去除

  
  

  最高温度为230摄氏度

  
  

  温升慢

  
  

  高密度激发态原子团

  
  

  工艺时间短

  最低的自偏压，低损伤

选型