产品介绍

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。

选配低温（液氮）附件结合高温炉（最高温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。

永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图

系统可测试多种材料包括Si，SiGe，SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN (N 型或P型均可测量)，金属膜，氧化物等，样品测试时便可完成系统功能演示。

特点

• 载流子浓度

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• 电阻率

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• 迁移率

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• 电导率

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• α (水平电阻值/垂直电阻值)

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• 霍尔常数

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• 磁致电阻

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• 技术参数

• 输入电流:	500nA 到 10mA (500nA 步长)
  霍尔电压:	0.5 到 4.5V
  极限分辨率:	65pV
  样品形状:	15x15 20x20 25x25mm 高度可达 5mm
  磁场强度:	可达 1T
  传感器:	液氮温度到 240°C

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