产品介绍

【原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。】【 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可最多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。】

特点

300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制

175℃温控150ml前驱体瓶，200℃温控输运支

可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积

可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体

标准CF-40接口

可安装原位测量或粉末沉积模块等选件

等离子体辅助ALD插件

多种配件可供选择

产品型号

GEMStar -4 XT：最大4英寸/100 mm基片沉积，单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口，不可升级为等离子体增强ALD

GEMStar -6/8 XT：最大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积，双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口，可升级为等离子体增强ALD

GEMStar -8 XT-P：最大8英寸/200mm基片沉积，双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口，13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，最高运行功率达300W。标配3组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。