超高阻可用于太赫兹应用：

高阻硅对于太赫兹波完全透明，吸收率几乎等于零，就像玻璃对于可见光，非常适合用来做太赫兹镜片、窗口等器件。但是硅的折射率很高，远远大于空气的折射率。我们知道，当光从一种折射率为Ii1的介质向另一种折射率为N2的介质传播时，在两者的交界处即界面上可能会同时发生光的反射和折射(符合菲涅尔公式)，反射回来的能量会耗散在空气中造成损失。

太赫兹波是电磁波，由于菲涅尔损耗的存在，当太赫兹波从空气垂直射到硅表面时，会有接近30%的功率由于反射损失掉,只剩下70%的太赫兹能量会透过器件的第一表面。同时考虑硅器件的两个表面，如果忽略硅两个表面间少量波来回振荡产生的干涉效应，太赫兹波在透过两个表面后能量损失会达到46%，对探测和实验带来不便。

目前透射率较高的太赫兹器件多是在高阻硅本体表面修饰所得到的器件，其制备方法主要是飞秒激光加工黑硅结构和化学腐蚀金字塔结构等，这些太赫兹器件因制备工艺复杂，从而成本较高，且在制备过程中使用激光、化学等方法有一定危险性。更重要的是，由于这类增透方法仅局限于对硅表面的改性，不能适用于其它与太赫兹辐射相关的材料界面,如砷化镓和碲化锌等。

• 高阻硅对于太赫兹波完全透明，吸收率几乎等于零，就像玻璃对于可见光，非常适合用来做太赫兹镜片、窗口等器件。但是硅的折射率很高，远远大于空气的折射率。

• 硅片纯度： 11N （99.999999999%）；

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• 直径尺寸：2” 3” 4” 5” 6” 8” 12”；

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• 晶向：(100)(111)(110)和其他晶向；

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• 表面：单抛 、双抛 、氧化、 氮化、镀金属膜（银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni）

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• 厚度：行业标准厚度和定制厚度；

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• 电阻率：> 1000ohm.cm，>3000ohm.cm， > 5000ohm.cm， > 10000ohm.cm，> 20000ohm.cm

• 和几十万欧姆厘米。